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| Número de pieza | S8MC-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 985mV @ 8A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Capacitancia @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-214AB, SMC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMC |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S8MC M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 8A DO214AB | - | 505838 | Detalles |
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S8MC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB | - | 339835 | Detalles |
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S8MC V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 8A DO214AB | - | 435583 | Detalles |
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S8MC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB | - | 392024 | Detalles |
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S8MC-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 8A SMC | - | 69000 | Detalles |
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S8MCHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 8A DO214AB | - | 493704 | Detalles |
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S8MCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 8A DO214AB | - | 331122 | Detalles |