DMN53D0LDW-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
DMN53D0LDW-13 P1
DMN53D0LDW-13 P2
DMN53D0LDW-13 P1
DMN53D0LDW-13 P2
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Diodes Incorporated ~ DMN53D0LDW-13

Número de pieza
DMN53D0LDW-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN53D0LDW-13 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza DMN53D0LDW-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 25V
Potencia - Max 310mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-363

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