DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
DMN3190LDW-13 P1
DMN3190LDW-13 P2
DMN3190LDW-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN3190LDW-13

Número de pieza
DMN3190LDW-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza DMN3190LDW-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Potencia - Max 320mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-363

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