DMN2015UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
DMN2015UFDF-13 P1
DMN2015UFDF-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2015UFDF-13

Número de pieza
DMN2015UFDF-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN2015UFDF-13 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza DMN2015UFDF-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1439pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor U-DFN2020-6
Paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad

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