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| Número de pieza | DMG6602SVTQ-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Potencia - Max | 840mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSOT-26 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | - | 39000 | Detalles |
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | - | 75000 | Detalles |
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DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | 6000 | Detalles | |
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DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR | - | 544749 | Detalles |