C3M0065100K

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
C3M0065100K P1
C3M0065100K P1
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Cree/Wolfspeed ~ C3M0065100K

Número de pieza
C3M0065100K
Fabricante
Cree/Wolfspeed
Descripción
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- C3M0065100K PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza C3M0065100K
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 35A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 600V
Vgs (Max) +19V, -8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 113.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 20A, 15V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje -
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
Paquete / caja TO-247-4

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