C2M0160120D

MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
C2M0160120D P1
C2M0160120D P1
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Cree/Wolfspeed ~ C2M0160120D

Número de pieza
C2M0160120D
Fabricante
Cree/Wolfspeed
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- C2M0160120D PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza C2M0160120D
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 19A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 800V
Vgs (Max) +25V, -10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 10A, 20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / caja TO-247-3

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