CDBD2SC21200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
CDBD2SC21200-G P1
CDBD2SC21200-G P1
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Comchip Technology ~ CDBD2SC21200-G

Número de pieza
CDBD2SC21200-G
Fabricante
Comchip Technology
Descripción
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza CDBD2SC21200-G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) 6.2A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.7V @ 2A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C

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