AOU2N60A

MOSFET N-CH
AOU2N60A P1
AOU2N60A P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOU2N60A

Número de pieza
AOU2N60A
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOU2N60A
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251-3
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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