AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
AOI9N50 P1
AOI9N50 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOI9N50

Número de pieza
AOI9N50
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOI9N50
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 860 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251A
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak

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