AOI444

MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
AOI444 P1
AOI444 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOI444

Número de pieza
AOI444
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOI444
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251A
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak

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