AOD418G

MOSFET N-CH 30V DPAK
AOD418G P1
AOD418G P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOD418G

Número de pieza
AOD418G
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 30V DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- AOD418G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOD418G
Estado de la pieza Preliminary
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13.5A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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