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Lista de materiales

AO4800L

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A
Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › AO4800L
AO4800L P1
AO4800L P1
Las imágenes son sólo para referencia.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AO4800L

Número de pieza
AO4800L
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AO4800L.pdf AO4800L PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
  • En stock $ Cantidad pcs
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Parámetro del producto

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Número de pieza AO4800L
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción PDF En stock Ver
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