ALD212900ASAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
ALD212900ASAL P1
ALD212900ASAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD212900ASAL

Número de pieza
ALD212900ASAL
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza ALD212900ASAL
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 10.6V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
Potencia - Max 500mW
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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