SI4922BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4922BDY-T1-E3 P1
SI4922BDY-T1-E3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SI4922BDY-T1-E3

Một phần số
SI4922BDY-T1-E3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SI4922BDY-T1-E3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SI4922BDY-T1-E3
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 8A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 15V
Sức mạnh tối đa 3.1W
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SO

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm