Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SI3473CDV-T1-E3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | P-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 12V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 8V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 6V |
| Vgs (Tối đa) | ±8V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 6-TSOP |
| Gói / Trường hợp | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | Chi tiết |
 |
SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6 | - | 6000 | Chi tiết |
 |
SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6 | - | 12000 | Chi tiết |
 |
SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 3000 | Chi tiết |