Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BYV13-TR |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Avalanche |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1.5A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.5V @ 1A |
| Tốc độ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 300ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 5µA @ 400V |
| Điện dung @ Vr, F | - |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | SOD-57, Axial |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SOD-57 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Chi tiết |
|
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Chi tiết |
 |
BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Chi tiết |
 |
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
|
BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |