Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | S1GLR2G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.1V @ 1A |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 1.8µs |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 5µA @ 400V |
| Điện dung @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-219AB |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Sub SMA |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 832500 | Chi tiết |
|
S1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1562148 | Chi tiết |
|
S1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1041432 | Chi tiết |
 |
S1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 0 | Chi tiết | |
 |
S1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 245000 | Chi tiết |
 |
S1G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 0 | Chi tiết | |
 |
S1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
S1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
|
S1G-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25825 | Chi tiết |
|
S1G-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | Chi tiết |
|
S1G-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | Chi tiết |
|
S1G-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT | - | 1769008 | Chi tiết |