Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

NXP USA Inc. ~ BY229-600,127

Một phần số	BY229-600,127
Trạng thái phần	Obsolete
Loại Diode	Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max)	500V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io)	8A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If	1.85V @ 20A
Tốc độ	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)	135ns
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr	400µA @ 500V
Điện dung @ Vr, F	-
Kiểu lắp	Through Hole
Gói / Trường hợp	TO-220-2
Gói Thiết bị Nhà cung cấp	TO-220AC
Nhiệt độ hoạt động - Junction	150°C (Max)

Một phần số	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BY229-200-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-200HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-600,127	NXP USA Inc.	DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-600-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-600HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-800-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229-800HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC	Chi tiết
BY229B-200-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	Chi tiết
BY229B-200-E3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	Chi tiết
BY229B-200HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	Chi tiết
BY229B-200HE3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	Chi tiết
BY229B-400-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB	Chi tiết