SPD02N80C3BTMA1

MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
SPD02N80C3BTMA1 P1
SPD02N80C3BTMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ SPD02N80C3BTMA1

Một phần số
SPD02N80C3BTMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SPD02N80C3BTMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SPD02N80C3BTMA1
Trạng thái phần Discontinued at Digi-Key
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 800V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 100V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 42W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm