Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPD65R1K4CFDATMA2 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | - |
| Công nghệ | - |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | - |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Tối đa) | - |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | - |
| Kiểu lắp | - |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | - |
| Gói / Trường hợp | - |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | 0 | Chi tiết | |
|
IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | - | 144871 | Chi tiết |
 |
IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | - | 2500 | Chi tiết |
|
IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | - | 0 | Chi tiết |
 |
IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | - | 2500 | Chi tiết |
 |
IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | 2500 | Chi tiết |