IPD50P04P4L11ATMA1

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
IPD50P04P4L11ATMA1 P1
IPD50P04P4L11ATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPD50P04P4L11ATMA1

Một phần số
IPD50P04P4L11ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPD50P04P4L11ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPD50P04P4L11ATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 40V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 85µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±16V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 58W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 10.6 mOhm @ 50A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3-313
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm