IPD031N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD031N06L3GATMA1 P1
IPD031N06L3GATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPD031N06L3GATMA1

Một phần số
IPD031N06L3GATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPD031N06L3GATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPD031N06L3GATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 167W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm