Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSZ16DN25NS3 G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 250V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 62.5W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TSDSON-8 |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerTDFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSZ165N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSZ165N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 | - | 216552 | Chi tiết |
 |
BSZ16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | - | 81442 | Chi tiết |