FQI19N20CTU

MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
FQI19N20CTU P1
FQI19N20CTU P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQI19N20CTU

Một phần số
FQI19N20CTU
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FQI19N20CTU PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FQI19N20CTU
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9.5A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp I2PAK
Gói / Trường hợp TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm