FQB34N20TM_AM002

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
FQB34N20TM_AM002 P1
FQB34N20TM_AM002 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQB34N20TM_AM002

Một phần số
FQB34N20TM_AM002
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FQB34N20TM_AM002 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FQB34N20TM_AM002
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 15.5A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp D²PAK (TO-263AB)
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm