FDC658AP

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
FDC658AP P1
FDC658AP P2
FDC658AP P1
FDC658AP P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC658AP

Một phần số
FDC658AP
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FDC658AP PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FDC658AP
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±25V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.6W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SuperSOT™-6
Gói / Trường hợp SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm