FDC606P

MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
FDC606P P1
FDC606P P2
FDC606P P1
FDC606P P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC606P

Một phần số
FDC606P
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FDC606P PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FDC606P
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 12V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1699pF @ 6V
Vgs (Tối đa) ±8V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.6W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SuperSOT™-6
Gói / Trường hợp SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm