EPC2105

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105 P1
EPC2105 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

EPC ~ EPC2105

Một phần số
EPC2105
nhà chế tạo
EPC
Sự miêu tả
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- EPC2105 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số EPC2105
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET GaNFET (Gallium Nitride)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 80V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Sức mạnh tối đa -
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp Die
Gói Thiết bị Nhà cung cấp Die

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm