EPC2023ENGR

TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
EPC2023ENGR P1
EPC2023ENGR P2
EPC2023ENGR P3
EPC2023ENGR P1
EPC2023ENGR P2
EPC2023ENGR P3
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

EPC ~ EPC2023ENGR

Một phần số
EPC2023ENGR
nhà chế tạo
EPC
Sự miêu tả
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- EPC2023ENGR PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số EPC2023ENGR
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ GaNFET (Gallium Nitride)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Vgs (Tối đa) +6V, -4V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) -
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp Die
Gói / Trường hợp Die

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm