Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | E3M0065090D |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 900V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 84.5 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.4nC @ 15V |
Vgs (Maks.) | +18V, -8V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 125W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Through Hole |
Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247-3 |
Paket / Durum | TO-247-3 |