Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SQJ204EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Özelliği | Standard |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 12V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
| Maksimum güç | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | ayrıntılar |
|
SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L | - | 102107 | ayrıntılar |