Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIHP180N60E-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1085pF @ 100V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 156W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-220AB |
| Paket / Durum | TO-220-3 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO-220AB | - | 11931 | ayrıntılar |
 |
SIHP10N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB | - | 859 | ayrıntılar |
 |
SIHP10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIHP11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB | - | 30 | ayrıntılar |
|
SIHP120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO-220AB | - | 11554 | ayrıntılar |
 |
SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB | - | 820 | ayrıntılar |
 |
SIHP12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB | - | 1008 | ayrıntılar |
 |
SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | - | 997 | ayrıntılar |
 |
SIHP12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB | - | 25 | ayrıntılar |
 |
SIHP14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHP14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | - | 0 | ayrıntılar |