Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3440DV-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 150V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 1.2A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 1.14W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | - | 446630 | ayrıntılar |
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SI3441BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3441BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3442BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP | - | 9000 | ayrıntılar |
 |
SI3442BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3442CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3442DV | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | - | 18000 | ayrıntılar |
 |
SI3443BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP | - | 3000 | ayrıntılar |