Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IRF5806TRPBF |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 4A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 4.5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 594pF @ 15V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 8110 | ayrıntılar |
 |
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 4528 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF520 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | ayrıntılar |