Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPD60R600E6 |
|---|---|
| Parça Durumu | Discontinued at Digi-Key |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 7.3A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 63W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO252-3 |
| Paket / Durum | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A | 7500 | ayrıntılar | |
 |
IPD600N25N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | ayrıntılar | |
|
IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 39617 | ayrıntılar |
 |
IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | - | 42887 | ayrıntılar |
 |
IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | ayrıntılar | |
|
IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 | - | 0 | ayrıntılar |
|
IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 0 | ayrıntılar |
|
IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 87098 | ayrıntılar |
 |
IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | 0 | ayrıntılar | |
|
IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | ayrıntılar |