Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 250V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 10.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 62.5W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Durum | 8-PowerTDFN |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | - | 81442 | ayrıntılar |