BSZ123N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
BSZ123N08NS3GATMA1 P1
BSZ123N08NS3GATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSZ123N08NS3GATMA1

Parça numarası
BSZ123N08NS3GATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- BSZ123N08NS3GATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BSZ123N08NS3GATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 80V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 40V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TSDSON-8
Paket / Durum 8-PowerVDFN

ilgili ürünler

Tüm ürünler