Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSC0901NSIATMA1

Parça numarası	BSC0901NSIATMA1
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	28A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 15V
Vgs (Maks.)	±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 15V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	PG-TDSON-8
Paket / Durum	8-PowerTDFN

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
BSC0901NS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	0	ayrıntılar
BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	122592	ayrıntılar
BSC0901NSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON	-	0	ayrıntılar
BSC0901NSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON	-	120044	ayrıntılar
BSC0902NS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	0	ayrıntılar
BSC0902NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	150057	ayrıntılar
BSC0902NSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	15000	ayrıntılar
BSC0902NSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON	-	144054	ayrıntılar
BSC0904NSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON	-	5000	ayrıntılar
BSC0904NSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON	-	208708	ayrıntılar
BSC0906NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON	-	0	ayrıntılar
BSC0908NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON		0	ayrıntılar