Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BSC010N04LSIATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 37A (Ta), 100A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 20V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | Schottky Diode (Body) |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 50A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TDSON-8 FL |
| Paket / Durum | 8-PowerTDFN |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | - | 56873 | ayrıntılar |
 |
BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 20000 | ayrıntılar |
|
BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 60854 | ayrıntılar |
 |
BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | 15000 | ayrıntılar | |
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 48933 | ayrıntılar |
 |
BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 35000 | ayrıntılar |
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 87725 | ayrıntılar |
 |
BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 25000 | ayrıntılar |
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 81876 | ayrıntılar |