Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BSB017N03LX3 G |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 32A (Ta), 147A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 15V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Paket / Durum | 3-WDSON |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | 0 | ayrıntılar | |
 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | 0 | ayrıntılar | |
 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 76760 | ayrıntılar |
 |
BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 66990 | ayrıntılar |
 |
BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 43071 | ayrıntılar |
 |
BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 0 | ayrıntılar | |
 |
BSB019N03LX G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON | 0 | ayrıntılar |