Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N961BTR |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| Gerilim - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Hata payı | ±5% |
| Maksimum güç | 500mW |
| Empedans (Maks.) (Zzt) | 8.5 Ohm |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 10µA @ 7.6V |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | - |
| Çalışma sıcaklığı | -65°C ~ 200°C |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DO-35 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | ayrıntılar |
 |
1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | ayrıntılar |
 |
1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | ayrıntılar |
 |
1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | ayrıntılar |
 |
1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | ayrıntılar |
 |
1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | ayrıntılar |
 |
1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | ayrıntılar |