DMT8012LPS-13

MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
DMT8012LPS-13 P1
DMT8012LPS-13 P2
DMT8012LPS-13 P1
DMT8012LPS-13 P2
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ DMT8012LPS-13

Parça numarası
DMT8012LPS-13
Üretici firma
Diodes Incorporated
Açıklama
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- DMT8012LPS-13 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası DMT8012LPS-13
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 80V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 9A (Ta), 65A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 12A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerDI5060-8
Paket / Durum 8-PowerTDFN

ilgili ürünler

Tüm ürünler