Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ BSS127SSN-7

Parça numarası	BSS127SSN-7
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	600V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	50mA (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.08nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	21.8pF @ 25V
Vgs (Maks.)	±20V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	610mW (Ta)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	160 Ohm @ 16mA, 10V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	SC-59
Paket / Durum	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	ayrıntılar
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	ayrıntılar
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	ayrıntılar
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	ayrıntılar
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	ayrıntılar
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	ayrıntılar