| номер части | SQD50P03-07_GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5490pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD50N04-09H-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | - | 0 | подробности |
|
SQD50N04-4M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 55786 | подробности |
|
SQD50N04-5M6L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 110592 | подробности |
 |
SQD50N04-5M6_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 | - | 0 | подробности |
|
SQD50N04-5M6_T4GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 87977 | подробности |
 |
SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 50A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SQD50N06-09L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A | - | 0 | подробности |
 |
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | - | 0 | подробности |
|
SQD50P03-07_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA | - | 49278 | подробности |
 |
SQD50P04-09L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A | - | 0 | подробности |
 |
SQD50P04-13L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A | - | 0 | подробности |
 |
SQD50P06-15L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 50A TO252 | - | 2000 | подробности |
