SIRA58ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V
SIRA58ADP-T1-RE3 P1
SIRA58ADP-T1-RE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIRA58ADP-T1-RE3

номер части
SIRA58ADP-T1-RE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 40V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SIRA58ADP-T1-RE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SIRA58ADP-T1-RE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61nC @ 10V
Vgs (Макс.) +20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3030pF @ 20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8

сопутствующие товары

Все продукты