| номер части | SIHH180N60E-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1085pF @ 100V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 114W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHH180N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH PPAK 8X8 | - | 24967 | подробности |
