SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
SIA472EDJ-T1-GE3 P1
SIA472EDJ-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIA472EDJ-T1-GE3

номер части
SIA472EDJ-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SIA472EDJ-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SIA472EDJ-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1265pF @ 15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 19.2W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол PowerPAK® SC-70-6

сопутствующие товары

Все продукты