| номер части | S1M-E3/5AT |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.8µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Емкость @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AC, SMA |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AC (SMA) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1M-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | 0 | подробности | |
 |
S1M-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | - | 505000 | подробности |
 |
S1M-26R2 | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25803 | подробности |
|
S1M-26R2G | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25801 | подробности |
|
S1M-26R3 | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 10543 | подробности |
|
S1M-26R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25798 | подробности |
 |
S1M-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | - | 22500 | подробности |
 |
S1M-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | - | 12600 | подробности |
|
S1M-F | SMC Diode Solutions | MODULAR | - | 25820 | подробности |
|
S1M-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25812 | подробности |
|
S1M-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25812 | подробности |
|
S1M-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 1769008 | подробности |
