| номер части | RN2910FE,LF(CT |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Частота - переход | 200MHz |
| Мощность - макс. | 100mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Пакет устройств поставщика | ES6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | подробности |
 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 8000 | подробности |
 |
RN2910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 2459304 | подробности |
 |
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | подробности |
 |
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 9000 | подробности |
 |
RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | подробности |
